C165LF3VHABXUMA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla C165LF3VHABXUMA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla C165LF3VHABXUMA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup C165LF3VHABXUMA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
C165LF3VHABXUMA1
- Part Number:
- C165LF3VHABXUMA1
- Opis:
- IC MCU 16BIT ROMLESS 100TQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 21934 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- C165LF3VHABXUMA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 3 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | P-TQFP-100 |
| Prędkość: | 20MHz |
| Seria: | C16xx |
| Wielkość pamięci RAM: | 2K x 8 |
| Typ pamięci programu: | ROMless |
| Rozmiar pamięci programu: | - |
| Peryferia: | POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 100-LQFP |
| Inne nazwy: | B165LF3VHAXT C165LF3VHABXUMA1TR SAB-C165-LF 3V HA SAB-C165-LF 3V HA-ND SABC165LF3VHAXT SP000011597 |
| Typ oscylatora: | External |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Liczba I / O: | 77 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | C166 C16xx Microcontroller IC 16-Bit 20MHz ROMless P-TQFP-100 |
| Konwertery danych: | - |
| rdzeń Rozmiar: | 16-Bit |
| Core Processor: | C166 |
| Łączność: | EBI/EMI, SPI, UART/USART |
| Podstawowy numer części: | SA*C165 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do C165LF3VHABXUMA1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny