BZX84C5V6 RFG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BZX84C5V6 RFG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BZX84C5V6 RFG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BZX84C5V6 RFG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BZX84C5V6 RFG
- Part Number:
- BZX84C5V6 RFG
- Producent:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Opis:
- DIODE ZENER 5.6V 300MW SOT23
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38325 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BZX84C5V6 RFG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 5.6V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 900mV @ 10mA |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 300mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | BZX84C5V6 RFG-ND BZX84C5V6RFG |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 32 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 40 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 5.6V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1µA @ 2V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BZX84C5V6 RFG
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia