BZX84-C6V2,235 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BZX84-C6V2,235, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BZX84-C6V2,235 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BZX84-C6V2,235 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BZX84-C6V2,235
- Part Number:
- BZX84-C6V2,235
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52573 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BZX84-C6V2,235.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Izolacja: | 10 Ohm |
| Napięcie - Podział: | TO-236AB (SOT23) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Moc - Max: | 250mW |
| Polaryzacja: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | 1727-2132-2 568-11977-2-ND 568-12283-2-ND 933137410235 BZX84-C6V2 /T3 BZX84-C6V2 /T3-ND BZX84-C6V2,235-ND |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Numer części producenta: | BZX84-C6V2,235 |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 6.2V |
| Rozszerzony opis: | Zener Diode 250mW ±5% Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Diode Configuration: | 3µA @ 4V |
| Opis: | DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 900mV @ 10mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BZX84-C6V2,235
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen