BZX384-B3V3,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BZX384-B3V3,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BZX384-B3V3,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BZX384-B3V3,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BZX384-B3V3,115
- Part Number:
- BZX384-B3V3,115
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- DIODE ZENER 3.3V 300MW SOD323
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32954 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BZX384-B3V3,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Izolacja: | 95 Ohm |
| Napięcie - Podział: | SOD-323 |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Moc - Max: | 300mW |
| Polaryzacja: | SC-76, SOD-323 |
| Inne nazwy: | 1727-3654-2 568-3826-2 568-3826-2-ND 934057361115 BZX384-B3V3 T/R BZX384B3V3115 |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | BZX384-B3V3,115 |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 3.3V |
| Rozszerzony opis: | Zener Diode 300mW ±2% Surface Mount SOD-323 |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±2% |
| Diode Configuration: | 5µA @ 1V |
| Opis: | DIODE ZENER 3.3V 300MW SOD323 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.1V @ 100mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BZX384-B3V3,115
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia