BZV85-C9V1,133 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BZV85-C9V1,133, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BZV85-C9V1,133 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BZV85-C9V1,133 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BZV85-C9V1,133
- Part Number:
- BZV85-C9V1,133
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28765 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BZV85-C9V1,133.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 9.1V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 50mA |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-41 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 1.3W |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Inne nazwy: | 933500640133 |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 200°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 5 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 9.1V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 700nA @ 6.5V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BZV85-C9V1,133
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS