BZT52B22 RHG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BZT52B22 RHG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BZT52B22 RHG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BZT52B22 RHG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BZT52B22 RHG
- Part Number:
- BZT52B22 RHG
- Producent:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Opis:
- DIODE ZENER 22V 500MW SOD123F
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41804 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BZT52B22 RHG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 22V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 10mA |
| Tolerancja: | ±2% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOD-123F |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 500mW |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | SOD-123F |
| Inne nazwy: | BZT52B22 RHGDKR BZT52B22 RHGDKR-ND BZT52B22RHGDKR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 30 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 55 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 22V 500mW ±2% Surface Mount SOD-123F |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 45nA @ 15.4V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BZT52B22 RHG
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia