BZG05C6V2-E3-TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BZG05C6V2-E3-TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BZG05C6V2-E3-TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BZG05C6V2-E3-TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BZG05C6V2-E3-TR
- Part Number:
- BZG05C6V2-E3-TR
- Producent:
- Opis:
- DIODE ZENER 6.2V 1.25W DO214AC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56070 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BZG05C6V2-E3-TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Izolacja: | 4 Ohm |
| Napięcie - Podział: | DO-214AC |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Moc - Max: | 1.25W |
| Polaryzacja: | DO-214AC, SMA |
| temperatura robocza: | 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Numer części producenta: | BZG05C6V2-E3-TR |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 6.2V |
| Rozszerzony opis: | Zener Diode 1.25W ±5% Surface Mount DO-214AC |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Diode Configuration: | 1µA @ 3V |
| Opis: | DIODE ZENER 6.2V 1.25W DO214AC |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.2V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BZG05C6V2-E3-TR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia