BU45L292G-TL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BU45L292G-TL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BU45L292G-TL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BU45L292G-TL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BU45L292G-TL
- Part Number:
- BU45L292G-TL
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- VOLTAGE DETECTOR WITH FIXED DELA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57037 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.BU45L292G-TL.pdf2.BU45L292G-TL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Próg: | 2.9V |
| Rodzaj: | Voltage Detector |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 3-SSOP |
| Seria: | - |
| Resetowanie Timeout: | 120 ms Minimum |
| Nastawić: | Active Low |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Wydajność: | Open Drain or Open Collector |
| Inne nazwy: | BU45L292G-TLCT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Ilość napięć Monitorowany: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Supervisor Open Drain or Open Collector 1 Channel 3-SSOP |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BU45L292G-TL
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia