BT155K-1200TQ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BT155K-1200TQ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BT155K-1200TQ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BT155K-1200TQ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BT155K-1200TQ
- Part Number:
- BT155K-1200TQ
- Producent:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Opis:
- SCR 1200V 79A TO3P-3
- Wielkość zbiorów:
- 51542 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BT155K-1200TQ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Na członkowskim (VTM) (max): | 1.5V |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 1.2kV |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 1V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-3P |
| Seria: | - |
| Rodzaj SCR: | Standard Recovery |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Inne nazwy: | 1740-1228 934069865127 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| szczegółowy opis: | SCR 1.2kV 79A Standard Recovery Through Hole TO-3P |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 79A |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 50A |
| Obecny - Off State (max): | 3mA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 650A, 715A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 200mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BT155K-1200TQ
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen