BT137-800G0Q jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BT137-800G0Q, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BT137-800G0Q przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BT137-800G0Q z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BT137-800G0Q
- Part Number:
- BT137-800G0Q
- Producent:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Opis:
- BT137-800G0/SIL3P/STANDARD MAR
- Wielkość zbiorów:
- 37866 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BT137-800G0Q.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 800V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 1V |
| triaka: | Standard |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AB |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | 934068043127 |
| temperatura robocza: | 125°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| szczegółowy opis: | TRIAC Standard 800V 8A Through Hole TO-220AB |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 8A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 65A, 71A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 40mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 50mA |
| Konfiguracja: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BT137-800G0Q
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku