BSO130P03SNTMA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BSO130P03SNTMA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BSO130P03SNTMA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BSO130P03SNTMA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BSO130P03SNTMA1
- Part Number:
- BSO130P03SNTMA1
- Opis:
- MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 41462 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BSO130P03SNTMA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 140µA |
| Vgs (maks.): | ±25V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | P-DSO-8 |
| Seria: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 13 mOhm @ 11.3A, 10V |
| Strata mocy (max): | 1.56W (Ta) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | BSO130P03S BSO130P03S-ND BSO130P03SNT BSO130P03SNTMA1TR BSO130P03ST SP000014729 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 3520pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 81nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 30V 9.2A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount P-DSO-8 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 9.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BSO130P03SNTMA1
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego