BSM35GD120DN2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BSM35GD120DN2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BSM35GD120DN2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BSM35GD120DN2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BSM35GD120DN2
- Part Number:
- BSM35GD120DN2
- Opis:
- IGBT BSM35GD120DN2BOSA1
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38574 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BSM35GD120DN2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 3.2V @ 15V, 35A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 280W |
| Package / Case: | Module |
| Inne nazwy: | BSM35GD120DN2BOSA1 SP000100371 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Termistor NTC: | No |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 2nF @ 25V |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | NPT |
| szczegółowy opis: | IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 50A 280W Chassis Mount Module |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 50A |
| Konfiguracja: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BSM35GD120DN2
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen