BS2103F-E2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BS2103F-E2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BS2103F-E2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BS2103F-E2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BS2103F-E2
- Part Number:
- BS2103F-E2
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28739 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.BS2103F-E2.pdf2.BS2103F-E2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 18 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOP |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 200ns, 100ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Inne nazwy: | BS2103F-E2TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | 1V, 2.6V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Non-Inverting |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 600V |
| Typ bramy: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Konfiguracja napędzana: | Half-Bridge |
| szczegółowy opis: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 60mA, 130mA |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Independent |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BS2103F-E2
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU