BR24G256FJ-3GTE2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BR24G256FJ-3GTE2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BR24G256FJ-3GTE2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BR24G256FJ-3GTE2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BR24G256FJ-3GTE2
- Part Number:
- BR24G256FJ-3GTE2
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8SOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51505 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BR24G256FJ-3GTE2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 8-SOP-J |
| standardy: | Non-Volatile |
| Oprogramowanie: | 256Kb (32K x 8) |
| Shell Style: | 1.6 V ~ 5.5 V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 400kHz |
| Polaryzacja: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Izolacja wyjście: | EEPROM |
| Inne nazwy: | BR24G256FJ3GTE2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Numer części producenta: | BR24G256FJ-3GTE2 |
| Berło: | I²C, 2-Wire Serial |
| Opis: | IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8SOP |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BR24G256FJ-3GTE2
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED