BQ294533DRVT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BQ294533DRVT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BQ294533DRVT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BQ294533DRVT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BQ294533DRVT
- Part Number:
- BQ294533DRVT
- Producent:
- TI
- Opis:
- OVERVOLTAGE PROTECTION FOR 2-SER
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57313 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BQ294533DRVT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-WSON (2x2) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 296-47004-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 110°C (TA) |
| Ilość ogniw: | 2 ~ 3 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | - |
| Funkcjonować: | Battery Protection |
| Ochrona usterek: | Over Voltage |
| szczegółowy opis: | Battery Battery Protection IC Lithium Ion 6-WSON (2x2) |
| Chemia baterii: | Lithium Ion |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BQ294533DRVT
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED