BLF10M6LS200U jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BLF10M6LS200U, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BLF10M6LS200U przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BLF10M6LS200U z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BLF10M6LS200U
- Part Number:
- BLF10M6LS200U
- Producent:
- Ampleon
- Opis:
- RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56460 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BLF10M6LS200U.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 28V |
| Napięcie - znamionowe: | 65V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT502B |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 40W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | SOT-502B |
| Inne nazwy: | 934067779112 |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 20dB |
| Częstotliwość: | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz ~ 891.5MHz 20dB 40W SOT502B |
| Aktualna ocena: | - |
| Obecny - Test: | 1.4A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BLF10M6LS200U
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku