BLF0910H9LS600U jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BLF0910H9LS600U, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BLF0910H9LS600U przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BLF0910H9LS600U z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BLF0910H9LS600U
- Part Number:
- BLF0910H9LS600U
- Producent:
- Ampleon
- Opis:
- BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52841 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BLF0910H9LS600U.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 50V |
| Napięcie - znamionowe: | 108V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT502B |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 600W |
| Package / Case: | SOT-502B |
| Inne nazwy: | 1603-1161 934960121112 BLF0910H9LS600U-ND |
| noise Figure: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 18.6dB |
| Częstotliwość: | 900MHz ~ 930MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 50V 90mA 900MHz ~ 930MHz 18.6dB 600W SOT502B |
| Aktualna ocena: | 2.8µA |
| Obecny - Test: | 90mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BLF0910H9LS600U
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego