BLC9G20LS-120VTZ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BLC9G20LS-120VTZ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BLC9G20LS-120VTZ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BLC9G20LS-120VTZ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BLC9G20LS-120VTZ
- Part Number:
- BLC9G20LS-120VTZ
- Producent:
- Ampleon
- Opis:
- RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-2
- Wielkość zbiorów:
- 22458 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BLC9G20LS-120VTZ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 28V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT1271-2 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 172W |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | SOT-1271-2 |
| Inne nazwy: | 934960077517 |
| noise Figure: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Zdobyć: | 18.5dB |
| Częstotliwość: | 1.805GHz ~ 1.995GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 28V 700mA 1.805GHz ~ 1.995GHz 18.5dB 172W SOT1271-2 |
| Aktualna ocena: | 2.8µA |
| Obecny - Test: | 700mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BLC9G20LS-120VTZ
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen