BFU725F/N1,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BFU725F/N1,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BFU725F/N1,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BFU725F/N1,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BFU725F/N1,115
- Part Number:
- BFU725F/N1,115
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- TRANSISTOR NPN 40MA SOT343
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36851 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BFU725F/N1,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 2.8V |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 4-SO |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 136mW |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | SOT-343 Reverse Pinning |
| Inne nazwy: | 568-5111-1 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 10dB ~ 24dB |
| Częstotliwość - Transition: | 55GHz |
| szczegółowy opis: | RF Transistor NPN 2.8V 40mA 55GHz 136mW Surface Mount 4-SO |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 160 @ 10mA, 2V |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 40mA |
| Podstawowy numer części: | BFU725 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BFU725F/N1,115
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen