BFR843EL3E6327XTSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BFR843EL3E6327XTSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BFR843EL3E6327XTSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BFR843EL3E6327XTSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BFR843EL3E6327XTSA1
- Part Number:
- BFR843EL3E6327XTSA1
- Opis:
- TRANSISTOR NPN TSLP-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46218 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BFR843EL3E6327XTSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 2.6V |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TSLP-3-10 |
| Seria: | * |
| Moc - Max: | 125mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 3-XFDFN |
| Inne nazwy: | BFR843EL3E6327XTSA1-ND BFR843EL3E6327XTSA1TR SP001062610 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 25.5dB |
| Częstotliwość - Transition: | - |
| szczegółowy opis: | RF Transistor NPN 2.6V 55mA 125mW Surface Mount TSLP-3-10 |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 55mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BFR843EL3E6327XTSA1
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe