BFR750L3RHE6327XTSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BFR750L3RHE6327XTSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BFR750L3RHE6327XTSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BFR750L3RHE6327XTSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BFR750L3RHE6327XTSA1
- Part Number:
- BFR750L3RHE6327XTSA1
- Opis:
- TRANS RF BIPO NPN 90MA TSLP-3-9
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42010 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BFR750L3RHE6327XTSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 4.7V |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TSLP-3 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 360mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-101, SOT-883 |
| Inne nazwy: | BFR 750L3RH E6327 BFR750L3RHE6327INTR BFR750L3RHE6327INTR-ND BFR750L3RHE6327XT BFR750L3RHE6327XTSA1TR SP000252588 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 21dB |
| Częstotliwość - Transition: | 37GHz |
| szczegółowy opis: | RF Transistor NPN 4.7V 90mA 37GHz 360mW Surface Mount PG-TSLP-3 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 160 @ 60mA, 3V |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 90mA |
| Podstawowy numer części: | BFR750 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BFR750L3RHE6327XTSA1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny