BFR31,215 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BFR31,215, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BFR31,215 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BFR31,215 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BFR31,215
- Part Number:
- BFR31,215
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31501 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BFR31,215.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Odcięcie (VGS off) @ Id: | 2.5V @ 0.5nA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23 (TO-236AB) |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 250mW |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | 568-6204-1 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 4pF @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 25V |
| szczegółowy opis: | JFET N-Channel 10mA 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) |
| Pobór prądu (Id) - Max: | 10mA |
| Obecny - spustowy (IDS) @ Vds (Vgs = 0): | 1mA @ 10V |
| Podstawowy numer części: | BFR31 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BFR31,215
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS