BF771E6327HTSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BF771E6327HTSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BF771E6327HTSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BF771E6327HTSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BF771E6327HTSA1
- Part Number:
- BF771E6327HTSA1
- Opis:
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30573 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BF771E6327HTSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 12V |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-3 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 580mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | BF 771 E6327 BF 771 E6327-ND BF771E6327HTSA1TR BF771E6327XT SP000010967 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 10dB ~ 15dB |
| Częstotliwość - Transition: | 8GHz |
| szczegółowy opis: | RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount SOT-23-3 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 70 @ 30mA, 8V |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BF771E6327HTSA1
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił