BF1210,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BF1210,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BF1210,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BF1210,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BF1210,115
- Part Number:
- BF1210,115
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41831 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BF1210,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 5V |
| Napięcie - znamionowe: | 6V |
| Typ tranzystora: | N-Channel Dual Gate |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-TSSOP |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Inne nazwy: | 934060847115 BF1210 T/R BF1210 T/R-ND |
| noise Figure: | 0.9dB |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 31dB |
| Częstotliwość: | 400MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 19mA 400MHz 31dB 6-TSSOP |
| Aktualna ocena: | 30mA |
| Obecny - Test: | 19mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BF1210,115
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku