BDW54A-S jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BDW54A-S, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BDW54A-S przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BDW54A-S z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BDW54A-S
- Part Number:
- BDW54A-S
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- TRANS PNP DARL 60V 4A
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49187 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BDW54A-S.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 60V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 4V @ 40mA, 4A |
| Typ tranzystora: | PNP - Darlington |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 2W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | - |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 4A 2W Through Hole TO-220 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 750 @ 1.5A, 3V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 500µA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 4A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BDW54A-S
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025