Το BDW54A-S είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BDW54A-S, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BDW54A-S μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BDW54A-S με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BDW54A-S
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BDW54A-S
- Κατασκευαστής:
- Bourns, Inc.
- Περιγραφή:
- TRANS PNP DARL 60V 4A
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49187 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BDW54A-S.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 60V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 4V @ 40mA, 4A |
| transistor Τύπος: | PNP - Darlington |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-220 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 2W |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 4A 2W Through Hole TO-220 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 750 @ 1.5A, 3V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 500µA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 4A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BDW54A-S
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BDW53C-S | Bourns, Inc. | TRANS NPN DARL 100V 4A | Έρευνα |
|
BDW64C-S | Bourns, Inc. | TRANS PNP DARL 100V 6A | Έρευνα |
|
BDW63C-S | Bourns, Inc. | TRANS NPN DARL 100V 6A TO-220 | Έρευνα |
|
BDW63D-S | Bourns, Inc. | TRANS NPN DARL 120V 6A | Έρευνα |
|
BDW53-S | Bourns, Inc. | TRANS NPN DARL 45V 4A | Έρευνα |
|
BDW54B-S | Bourns, Inc. | TRANS PNP DARL 80V 4A | Έρευνα |
|
BDW63B-S | Bourns, Inc. | TRANS NPN DARL 80V 6A | Έρευνα |
|
BDW63A-S | Bourns, Inc. | TRANS NPN DARL 60V 6A | Έρευνα |
|
BDW53A-S | Bourns, Inc. | TRANS NPN DARL 60V 4A | Έρευνα |
 |
BDW46 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS PNP DARL 80V 15A TO-220AB | Έρευνα |
|
BDW47G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS PNP DARL 100V 15A TO220AB | Έρευνα |
|
BDW54C-S | Bourns, Inc. | TRANS PNP DARL 100V 4A | Έρευνα |
|
BDW47 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS PNP DARL 100V 15A TO220AB | Έρευνα |
|
BDW53D-S | Bourns, Inc. | TRANS NPN DARL 120V 4A | Έρευνα |
|
BDW54D-S | Bourns, Inc. | TRANS PNP DARL 120V 4A | Έρευνα |
|
BDW46G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS PNP DARL 80V 15A TO-220AB | Έρευνα |
|
BDW53B-S | Bourns, Inc. | TRANS NPN DARL 80V 4A | Έρευνα |
|
BDW64B-S | Bourns, Inc. | TRANS PNP DARL 80V 6A TO220 | Έρευνα |
|
BDW64-S | Bourns, Inc. | TRANS PNP DARL 45V 6A TO220 | Έρευνα |
|
BDW42G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 15A TO-220AB | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS