BD733L2EFJ-CE2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BD733L2EFJ-CE2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BD733L2EFJ-CE2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BD733L2EFJ-CE2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BD733L2EFJ-CE2
- Part Number:
- BD733L2EFJ-CE2
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- IC REG LIN 3.3V 200MA 8HTSOP-J
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40127 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.BD733L2EFJ-CE2.pdf2.BD733L2EFJ-CE2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Spadek napięcia (Max): | 1V @ 200mA |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 3.3V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | - |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 45V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-HTSOP-J |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Funkcje ochronne: | Over Current, Over Temperature |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| PSRR: | 63dB (120Hz) |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | BD733L2EFJ-CE2DKR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Ilość Regulatorów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 3.3V 200mA 8-HTSOP-J |
| Obecny - Dostawa (Max): | 15µA |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 6µA |
| Obecny - Wyjście: | 200mA |
| Funkcje sterowania: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BD733L2EFJ-CE2
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia