BCV61BE6327HTSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BCV61BE6327HTSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BCV61BE6327HTSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BCV61BE6327HTSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BCV61BE6327HTSA1
- Part Number:
- BCV61BE6327HTSA1
- Opis:
- TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49213 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BCV61BE6327HTSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 30V |
| Typ tranzystora: | 2 NPN, Base Collector Junction |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-143-4 |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-253-4, TO-253AA |
| Inne nazwy: | BCV 61B E6327CT BCV 61B E6327CT-ND BCV61BE6327HTSA1CT |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Transistor Current Mirror 2 NPN, Base Collector Junction 30V 100mA Surface Mount SOT-143-4 |
| Aktualna ocena: | 100mA |
| Podstawowy numer części: | BCV61 |
| Aplikacje: | Current Mirror |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BCV61BE6327HTSA1
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS