BCR119SE6433HTMA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BCR119SE6433HTMA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BCR119SE6433HTMA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BCR119SE6433HTMA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BCR119SE6433HTMA1
- Part Number:
- BCR119SE6433HTMA1
- Opis:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33055 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BCR119SE6433HTMA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Typ tranzystora: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-SOT363-6 |
| Seria: | - |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2): | - |
| Rezystor - Podstawa (R1): | 4.7 kOhms |
| Moc - Max: | 250mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Inne nazwy: | BCR 119S E6433 BCR 119S E6433-ND BCR119SE6433HTMA1TR-NDTR BCR119SE6433XT SP000012332 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 150MHz |
| szczegółowy opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 5mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | - |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 100mA |
| Podstawowy numer części: | BCR119S |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BCR119SE6433HTMA1
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia