BAY80-TAP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BAY80-TAP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BAY80-TAP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BAY80-TAP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BAY80-TAP
- Part Number:
- BAY80-TAP
- Producent:
- Opis:
- DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30327 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BAY80-TAP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 250mA (DC) |
| Napięcie - Podział: | DO-35 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Stan RoHS: | Tape & Box (TB) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Polaryzacja: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Temperatura pracy - złącze: | 50ns |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | BAY80-TAP |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 120V 250mA (DC) Through Hole DO-35 |
| Diode Configuration: | 100nA @ 120V |
| Opis: | DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.07V @ 150mA |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 120V |
| Pojemność @ VR F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BAY80-TAP
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC