BAY80-TAP è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BAY80-TAP, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BAY80-TAP via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BAY80-TAP con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BAY80-TAP
- Modello di prodotti:
- BAY80-TAP
- fabbricante:
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 30327 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BAY80-TAP.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Picco inversa (max): | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 250mA (DC) |
| Tensione - Ripartizione: | DO-35 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Stato RoHS: | Tape & Box (TB) |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Polarizzazione: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 50ns |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BAY80-TAP |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 120V 250mA (DC) Through Hole DO-35 |
| Configurazione diodo: | 100nA @ 120V |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1.07V @ 150mA |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 120V |
| Capacità a Vr, F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BAY80-TAP
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC