BAV23QAZ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BAV23QAZ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BAV23QAZ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BAV23QAZ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BAV23QAZ
- Part Number:
- BAV23QAZ
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- BAV23QA/SOT1215/DFN1010D-3
- Wielkość zbiorów:
- 40712 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BAV23QAZ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.25V @ 200mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 250V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DFN1010D-3 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 50ns |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 3-XDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 1727-7792-1 |
| Temperatura pracy - złącze: | 150°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 250V 330mA (DC) Surface Mount DFN1010D-3 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100nA @ 200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 330mA (DC) |
| Pojemność @ VR F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BAV23QAZ
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia