BAS34-TAP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BAS34-TAP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BAS34-TAP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BAS34-TAP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BAS34-TAP
- Part Number:
- BAS34-TAP
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43823 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BAS34-TAP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 100mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 60V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-35 |
| Prędkość: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Inne nazwy: | BAS34-TAP-ND BAS34-TAPGITB |
| Temperatura pracy - złącze: | 175°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 60V 200mA Through Hole DO-35 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1nA @ 30V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 200mA |
| Pojemność @ VR F: | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BAS34-TAP
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia