BAP55L,315 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BAP55L,315, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BAP55L,315 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BAP55L,315 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BAP55L,315
- Part Number:
- BAP55L,315
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- DIODE PIN 50V 100MA SOD-882
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47960 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BAP55L,315.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 50V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DFN1006-2 |
| Seria: | - |
| Odporność @ Jeżeli F: | 700 mOhm @ 100mA, 100MHz |
| Strata mocy (max): | 500mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOD-882 |
| Inne nazwy: | 568-1925-2 934058521315 BAP55L T/R |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | PIN - Single |
| szczegółowy opis: | RF Diode PIN - Single 50V 100mA 500mW DFN1006-2 |
| Obecny - Max: | 100mA |
| Pojemność @ VR F: | 0.28pF @ 20V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | BAP55 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BAP55L,315
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego