BA479G-TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BA479G-TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BA479G-TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BA479G-TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BA479G-TR
- Part Number:
- BA479G-TR
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- DIODE RF PIN 30V 50MA DO35
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52671 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BA479G-TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 30V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-35 |
| Seria: | - |
| Odporność @ Jeżeli F: | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Inne nazwy: | BA479G-GICT |
| temperatura robocza: | 125°C (TJ) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | PIN - Single |
| szczegółowy opis: | RF Diode PIN - Single 30V 50mA DO-35 |
| Obecny - Max: | 50mA |
| Pojemność @ VR F: | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BA479G-TR
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?