B82791G14A16 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B82791G14A16, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B82791G14A16 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B82791G14A16 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B82791G14A16
- Part Number:
- B82791G14A16
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- CMC 4.7MH 100MA 4LN TH
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32486 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B82791G14A16.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 42V |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.689" L x 0.689" W (17.50mm x 17.50mm) |
| Seria: | B82791 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Horizontal, 4 PC Pin |
| Inne nazwy: | 495-5757-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | B82791G14A16 |
| Indukcyjność @ Częstotliwość: | - |
| Wysokość (max): | 0.315" (8.00mm) |
| Bezpiecznik: | Signal Line |
| filtr Kolejność: | 850 mOhm (Typ) |
| cechy: | - |
| Rozszerzony opis: | 4.7mH @ 10kHz 4 Line Common Mode Choke Through Hole 100mA DCR 850 mOhm (Typ) |
| Opis: | CMC 4.7MH 100MA 4LN TH |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 100mA |
| Karta Grubość (mm): | 4.7mH @ 10kHz |
| Obecna - Przeciek: | 80V |
| Długość kabla - Nienaświetlona: | 4 |
| Zatwierdzenia: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B82791G14A16
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego