B82747F4103N001 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B82747F4103N001, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B82747F4103N001 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B82747F4103N001 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B82747F4103N001
- Part Number:
- B82747F4103N001
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- CMC 3MH 10A 3LN CHAS MT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43016 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B82747F4103N001.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | - |
| Napięcie znamionowe - AC: | 440/250V |
| Rozmiar / Wymiar: | 2.874" Dia (73.00mm) |
| Seria: | B82747 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | - |
| Inne nazwy: | B82747F4103N 1 B82747F4103N1 B82747F4103N1-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba linii: | 3 |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność @ Częstotliwość: | 3mH @ 10kHz |
| Wysokość (max): | 1.575" (40.00mm) |
| Rodzaj filtra: | Power Line |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 3mH @ 10kHz 3 Line Common Mode Choke Chassis Mount 10A DCR 20 mOhm (Typ) |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 20 mOhm (Typ) |
| Karta Grubość (mm): | 10A |
| Zatwierdzenia: | ENEC, VDE |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B82747F4103N001
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego