B82724J8162N040 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B82724J8162N040, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B82724J8162N040 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B82724J8162N040 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B82724J8162N040
- Part Number:
- B82724J8162N040
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- RING CORE CHOKE 2X47 MH 1,6 A +7
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36010 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B82724J8162N040.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 800V |
| Napięcie znamionowe - AC: | 250V |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.232" L x 0.728" W (31.30mm x 18.50mm) |
| Seria: | B82724 |
| oceny: | - |
| Package / Case: | Vertical, 4 PC Pin |
| Inne nazwy: | 495-77247 B82724J8162N 40 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba linii: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 34 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność @ Częstotliwość: | 47mH @ 10kHz |
| Wysokość (max): | 1.307" (33.20mm) |
| Rodzaj filtra: | Power Line |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 47mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.6A DCR |
| Karta Grubość (mm): | 1.6A |
| Zatwierdzenia: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B82724J8162N040
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia