B41888C8127M jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B41888C8127M, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B41888C8127M przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B41888C8127M z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B41888C8127M
- Part Number:
- B41888C8127M
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- CAP ALUM 120UF 20% 63V RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45817 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B41888C8127M.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 63V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| Seria: | B41888 |
| Ripple Current @ High Frequency: | 474mA @ 100kHz |
| oceny: | AEC-Q200 |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Can |
| Inne nazwy: | B41888C8127M000 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Żywotność @ Temp.: | 7000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | 0.197" (5.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja: | 279 mOhms |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.669" (17.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 308 mOhm @ 10kHz |
| szczegółowy opis: | 120µF 63V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 308 mOhm @ 10kHz 7000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 120µF |
| Aplikacje: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B41888C8127M
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku