B39461B5011H810 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B39461B5011H810, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B39461B5011H810 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B39461B5011H810 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B39461B5011H810
- Part Number:
- B39461B5011H810
- Producent:
- Epcos / RF360
- Opis:
- FILTER SAW 456MHZ 10SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28920 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B39461B5011H810.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Seria: | - |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-SMD, No Lead |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Insertion Loss: | 8.5dB |
| Wysokość (max): | 0.052" (1.33mm) |
| Częstotliwość - Centrum: | 456MHz |
| Pasmo: | 3.7MHz |
| Aplikacje: | WiMax |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B39461B5011H810
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia