B39242B4360P810 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B39242B4360P810, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B39242B4360P810 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B39242B4360P810 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B39242B4360P810
- Part Number:
- B39242B4360P810
- Producent:
- Epcos / RF360
- Opis:
- FILTER SAW 2.44175GHZ 5SMD
- Wielkość zbiorów:
- 35718 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B39242B4360P810.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.043" L x 0.035" W (1.09mm x 0.89mm) |
| Seria: | B4360 |
| oceny: | AEC-Q200 |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 5-SMD, No Lead |
| Inne nazwy: | B39242B4360P810CT |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Insertion Loss: | 2.1dB |
| Wysokość (max): | 0.018" (0.46mm) |
| Częstotliwość - Centrum: | 2.44175GHz |
| Pasmo: | 83.5MHz |
| Aplikacje: | Bluetooth |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B39242B4360P810
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen