AVE335M35A12T-F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AVE335M35A12T-F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AVE335M35A12T-F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AVE335M35A12T-F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AVE335M35A12T-F
- Part Number:
- AVE335M35A12T-F
- Producent:
- Cornell Dubilier Electronics
- Opis:
- CAP ALUM 3.3UF 20% 35V SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43481 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AVE335M35A12T-F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 35V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.130" L x 0.130" W (3.30mm x 3.30mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.118" Dia (3.00mm) |
| Seria: | AVE |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 8mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 11.2mA @ 10kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Radial, Can - SMD |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.217" (5.50mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 60.28 Ohm @ 120Hz |
| szczegółowy opis: | 3.3µF 35V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - SMD 60.28 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| Pojemność: | 3.3µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AVE335M35A12T-F
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia