ATTINY13A-SNR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ATTINY13A-SNR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ATTINY13A-SNR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ATTINY13A-SNR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ATTINY13A-SNR
- Part Number:
- ATTINY13A-SNR
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC MCU 8BIT 1KB FLASH 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42757 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ATTINY13A-SNR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | FLASH |
| Seria: | AVR® ATtiny |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 20MHz |
| wymaga: | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Typ pamięci programu: | 1KB (512 x 16) |
| Rozmiar pamięci programu: | - |
| Inne nazwy: | 1611-ATTINY13A-SNRDKR |
| Typ oscylatora: | A/D 4x10b |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| System operacyjny: | AVR |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Numer części producenta: | ATTINY13A-SNR |
| Rozszerzony opis: | AVR AVR® ATtiny Microcontroller IC 8-Bit 20MHz 1KB (512 x 16) FLASH |
| Opis: | IC MCU 8BIT 1KB FLASH 8SOIC |
| Bajty danych SRAM: | 64 x 8 |
| Konwertery danych: | 1.8 V ~ 5.5 V |
| rdzeń Rozmiar: | 64 x 8 |
| Seria regulatorów: | Internal |
| Łączność: | 8-Bit |
| Częstotliwość zegara: | 6 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ATTINY13A-SNR
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił