ATSAML22N16A-AUT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ATSAML22N16A-AUT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ATSAML22N16A-AUT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ATSAML22N16A-AUT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ATSAML22N16A-AUT
- Part Number:
- ATSAML22N16A-AUT
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC MCU 32BIT 64KB FLASH 100TQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44753 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.ATSAML22N16A-AUT.pdf2.ATSAML22N16A-AUT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 1.62 V ~ 3.63 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 100-TQFP (14x14) |
| Prędkość: | 32MHz |
| Seria: | SAM L22N |
| Wielkość pamięci RAM: | 8K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 64KB (64K x 8) |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, DMA, LCD, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 100-TQFP |
| Inne nazwy: | ATSAML22N16A-AUTTR |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 82 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M0+ SAM L22N Microcontroller IC 32-Bit 32MHz 64KB (64K x 8) FLASH 100-TQFP (14x14) |
| Konwertery danych: | A/D 20x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M0+ |
| Łączność: | I²C, SPI, UART/USART, USB |
| Podstawowy numer części: | ATSAML22N16 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ATSAML22N16A-AUT
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia