ATSAMD21E16B-MU jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ATSAMD21E16B-MU, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ATSAMD21E16B-MU przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ATSAMD21E16B-MU z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ATSAMD21E16B-MU
- Part Number:
- ATSAMD21E16B-MU
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49885 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.ATSAMD21E16B-MU.pdf2.ATSAMD21E16B-MU.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 1.62 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-QFN (5x5) |
| Prędkość: | 48MHz |
| Seria: | SAM D21E |
| Wielkość pamięci RAM: | 8K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 64KB (64K x 8) |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 32-VFQFN Exposed Pad |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 26 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M0+ SAM D21E Microcontroller IC 32-Bit 48MHz 64KB (64K x 8) FLASH 32-QFN (5x5) |
| Konwertery danych: | A/D 10x12b, D/A 1x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M0+ |
| Łączność: | I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB |
| Podstawowy numer części: | ATSAMD21E16 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ATSAMD21E16B-MU
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025