ATSAMD21E16L-MFT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ATSAMD21E16L-MFT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ATSAMD21E16L-MFT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ATSAMD21E16L-MFT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ATSAMD21E16L-MFT
- Part Number:
- ATSAMD21E16L-MFT
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48137 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ATSAMD21E16L-MFT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | FLASH |
| Seria: | SAM D21E |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 48MHz |
| wymaga: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
| Typ pamięci programu: | 64KB (64K x 8) |
| Rozmiar pamięci programu: | I²C, LIN, SPI, UART/USART, USB |
| Inne nazwy: | 1611-ATSAMD21E16L-MFTDKR |
| Typ oscylatora: | A/D 10x12b, D/A 1x10b |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| System operacyjny: | ARM® Cortex®-M0+ |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Numer części producenta: | ATSAMD21E16L-MFT |
| Rozszerzony opis: | ARM® Cortex®-M0+ SAM D21E Microcontroller IC 32-Bit 48MHz 64KB (64K x 8) FLASH |
| Opis: | IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32QFN |
| Bajty danych SRAM: | - |
| Konwertery danych: | 1.62 V ~ 3.6 V |
| rdzeń Rozmiar: | 8K x 8 |
| Seria regulatorów: | Internal |
| Łączność: | 32-Bit |
| Częstotliwość zegara: | 26 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ATSAMD21E16L-MFT
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025