ATSAM4S8CA-CUR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ATSAM4S8CA-CUR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ATSAM4S8CA-CUR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ATSAM4S8CA-CUR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ATSAM4S8CA-CUR
- Part Number:
- ATSAM4S8CA-CUR
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100BGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49719 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.ATSAM4S8CA-CUR.pdf2.ATSAM4S8CA-CUR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 1.62 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 100-TFBGA (9x9) |
| Prędkość: | 120MHz |
| Seria: | SAM4S |
| Wielkość pamięci RAM: | 128K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 512KB (512K x 8) |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 100-TFBGA |
| Inne nazwy: | ATSAM4S8CA-CURTR |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 79 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M4 SAM4S Microcontroller IC 32-Bit 120MHz 512KB (512K x 8) FLASH 100-TFBGA (9x9) |
| Konwertery danych: | A/D 16x12b, D/A 2x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M4 |
| Łączność: | EBI/EMI, I²C, IrDA, Memory Card, SPI, SSC, UART/USART, USB |
| Podstawowy numer części: | ATSAM4S8 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ATSAM4S8CA-CUR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia