ATS036-E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ATS036-E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ATS036-E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ATS036-E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ATS036-E
- Part Number:
- ATS036-E
- Producent:
- CTS Electronic Components
- Opis:
- CRYSTAL 3.579545MHZ 18PF T/H
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48911 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ATS036-E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | MHz Crystal |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.427" L x 0.177" W (10.85mm x 4.50mm) |
| Seria: | ATS |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | HC-49/US |
| Inne nazwy: | ATS036E CTX1012 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Tryb pracy: | Fundamental |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| pojemność obciążenia: | 18pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.145" (3.68mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±30ppm |
| Stabilność częstotliwości: | ±50ppm |
| Częstotliwość: | 3.579545MHz |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 150 Ohms |
| szczegółowy opis: | 3.579545MHz ±30ppm Crystal 18pF 150 Ohms HC-49/US |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ATS036-E
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia