AT91M55800A-33CJ-999 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AT91M55800A-33CJ-999, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AT91M55800A-33CJ-999 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AT91M55800A-33CJ-999 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AT91M55800A-33CJ-999
- Part Number:
- AT91M55800A-33CJ-999
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC MCU 32BIT ROMLESS 176LFBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52191 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AT91M55800A-33CJ-999.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | ROMless |
| Napięcie - Podział: | 176-LFBGA (11.2x11.2) |
| Seria: | AT91 |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 33MHz |
| wymaga: | POR, WDT |
| Typ pamięci programu: | - |
| Rozmiar pamięci programu: | EBI/EMI, SPI, UART/USART |
| Polaryzacja: | 176-LFBGA |
| Inne nazwy: | 1611-AT91M55800A-33CJ-999DKR |
| Typ oscylatora: | A/D 8x10b; D/A 2x10b |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| System operacyjny: | ARM7® |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Numer części producenta: | AT91M55800A-33CJ-999 |
| Rozszerzony opis: | ARM7® AT91 Microcontroller IC 16/32-Bit 33MHz ROMless 176-LFBGA (11.2x11.2) |
| Opis: | IC MCU 32BIT ROMLESS 176LFBGA |
| Bajty danych SRAM: | - |
| Konwertery danych: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| rdzeń Rozmiar: | 8K x 8 |
| Seria regulatorów: | Internal |
| Łączność: | 16/32-Bit |
| Częstotliwość zegara: | 58 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AT91M55800A-33CJ-999
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC