AT91M55800A-33CI-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AT91M55800A-33CI-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AT91M55800A-33CI-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AT91M55800A-33CI-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AT91M55800A-33CI-T
- Part Number:
- AT91M55800A-33CI-T
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC MCU 32BIT ROMLESS 176LFBGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 32881 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.AT91M55800A-33CI-T.pdf2.AT91M55800A-33CI-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 176-BGA (13x13) |
| Prędkość: | 33MHz |
| Seria: | AT91 |
| Wielkość pamięci RAM: | 8K x 8 |
| Typ pamięci programu: | ROMless |
| Rozmiar pamięci programu: | - |
| Peryferia: | POR, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 176-LFBGA |
| Inne nazwy: | AT91M55800A33CISL AT91M55800A33CISL-ND AT91M55800A33CISL383 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 58 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | ARM7® AT91 Microcontroller IC 16/32-Bit 33MHz ROMless 176-BGA (13x13) |
| Konwertery danych: | A/D 8x10b; D/A 2x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 16/32-Bit |
| Core Processor: | ARM7® |
| Łączność: | EBI/EMI, SPI, UART/USART |
| Podstawowy numer części: | AT91M55800 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AT91M55800A-33CI-T
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC